Diese Woche lieferte ASML das Twinscan NXE der 3. Generation Ultraviolet (EUV) Lithography Tool mit einer Projektionslinse von 0,33 numerischen Öffnungen. Das System erhöht die Leistung im Vergleich zum aktuellen Twinscan NXE: 3600D -Maschine signifikant. Das neue Gerät wurde in den kommenden Jahren zur Herstellung von Chips in fortschrittlichen Technologien in 3nm, 2nm und darunter entwickelt.
ASML Twinscan NXE: 3800E stellt einen zukünftigen Durchbruch in der niedrigen NA -EUV -Lithographie (Anzahl der zur Stunde verarbeiteten Platten) und eine kompatible verarbeitete Beschichtung dar. Das neue System kann mehr als 195 Schilder pro Stunde in einer Dosis von 30 MJ/cm^verarbeiten und verspricht, dass die Produktionskapazität mehr erhöht wird. Darüber hinaus bietet das neue Werkzeug weniger kompatible Machinerie (Genauigkeit von Plattenausrichtungen) weniger als 1,1 nm.
ASML, in einer in X veröffentlichten Erklärung, "Chipproduzenten brauchen Geschwindigkeit", sagte er. "Der erste Twinscan NXE: 3800E ist derzeit in einer Spanplatte installiert. Mit den neuen Plattenstufen zwingen wir das System, die neueste Technologieproduktivität für den fortschrittlichen Druck an neue Grenzen zu bieten."
Eine erhöhte Effizienz wird die wirtschaftliche Effizienz der Twinscan NXE: 3800E -Maschine erhöhen und Chips in 4nm/5nm- und 3nm -Klassenprozessechnologien produzieren. ASML Twinscan NXE: Die verbesserte Leistung von 3800E wird voraussichtlich die relativ geringe Leistung erheblich verringern, eine der Hauptnachteile der EUV -Technologie und somit eine effizientere und geeignete Kosten -Chip -Produktion zu ermöglichen. Dadurch wird der EUV für Prozesstechnologien leichter. Die Riesen des Sektors wie Apple, AMD, Intel, Nvidia und Qualcomm werden durch Erleichterung beschleunigen. Das Fahrzeug wird auch für Speicherhersteller wie Micron, Samsung und SK Hynix erheblich beschleunigt.
Darüber hinaus wird die verbesserte Leistung von Twinscan NXE: 3800E für nachfolgende Produktionstechnologienklassen nützlich sein, die Chips und EUV -Doppelmuster benötigen, insbesondere bei 2nm. Verbesserungen in der übereinstimmenden Maschinenschicht profitieren im Produktionsprozess unter -3 nm.
Quelle: https: //www.tomshardware.com
