Esta semana, ASML entregó la herramienta de litografía ultravioleta extrema (EUV) de tercera generación Twinscan NXE: 3800E con una lente de proyección de 0.33 aberturas numéricas. El sistema aumenta significativamente el rendimiento en comparación con el TwinScan NXE actual: la máquina 3600D. El nuevo dispositivo ha sido diseñado para producir chips en tecnologías avanzadas en 3NM, 2NM y debajo en los próximos años.
ASML Twinscan NXE: 3800E representa un avance futuro en litografía de bajo NA EUV (número de placas procesadas a la hora) y recubrimiento procesado compatible. El nuevo sistema puede procesar más de 195 signos por hora a una dosis de 30 mJ/cm^y promete más aumentos a 220 WPH en rendimiento al aumentar la capacidad de producción. Además, la nueva herramienta ofrece maquinaria menos compatible (precisión de alineación de placas) inferior a 1.1 nm.
ASML, en un comunicado publicado en X, "los productores de chips necesitan velocidad", dijo. "El primer Twinscan NXE: 3800E está actualmente instalado en un aglomcar. Con las nuevas etapas de la placa, obligamos al sistema a ofrecer la última productividad tecnológica para la impresión avanzada a nuevos límites".
La mayor eficiencia aumentará la eficiencia económica de la máquina Twinscan NXE: 3800E mientras produce chips en tecnologías de proceso de clase 4NM/5NM y 3NM. ASML Twinscan NXE: se espera que el rendimiento mejorado de 3800E alivie significativamente el rendimiento relativamente bajo, una de las principales desventajas de la tecnología EUV y, por lo tanto, permita una producción de chips de costos más eficiente y adecuada. Esto facilitará el EUV para las tecnologías de proceso. Los gigantes del sector como Apple, AMD, Intel, Nvidia y Qualcomm acelerarán facilitando. El vehículo también se acelerará significativamente para los fabricantes de memoria como Micron, Samsung y SK Hynix.
Además, el rendimiento mejorado de Twinscan NXE: 3800E será útil para las clases de tecnologías de producción posteriores que necesitarán chips y patrones dobles EUV, especialmente en 2NM. Las mejoras en la capa de máquina coincidente se beneficiarán en el proceso de producción de menos de -3 nm.
Fuente: https: //www.tomshardware.com
