Kioxia planea cambiar a la producción en masa de chips de memoria Flash 3D NAND con más de 1000 capas para 2031. El gerente de kioxia Hidefumi Miyajima anunció esto en una conferencia en la 71a reunión de primavera de la Sociedad de Física Aplicada de la Universidad de Tokio. Como parte de su discurso, planteó preguntas sobre problemas técnicos y soluciones para crear chips NAND 3D de 1000 capas.
Aumentar el número de capas activas en chips de memoria flash 3D es la mejor manera de aumentar la densidad de la escritura en tales chips. Todos los fabricantes de memoria NAND 3D están tratando de aumentar el número de capas en chips utilizando procesos tecnológicos avanzados cada 1.5-2 años. Cada transición a una nueva tecnología de proceso trae sus propios desafíos, ya que los productores 3D NAND NAND no solo deben aumentar el número de capas, sino también reducir las células NAND tanto horizontal como verticalmente. Esto requiere que los fabricantes usen nuevos materiales, que es un verdadero dolor de cabeza para expertos en centros de investigación.
Hoy, los chips de memoria Flash NAND 3D más avanzados en la cartera de Kioxia son Bics de octava generación 3D NAND con 218 capas activas y una tasa de transferencia de datos de 3.2 Gbps. Fue presentado por el fabricante en marzo de 2023. Esta generación de memoria flash ofrece una nueva arquitectura de CBA (CMOS conectados directamente) que permite que el aglomerado de secuencia de células de memoria NAND 3D y las placas de E/S CMOS se produzcan por separado y luego para combinar las tecnologías más adecuadas para estas aplicaciones. El resultado es un producto que puede crear algunos de los mejores SSD en el mercado, con densidad de bits aumentada y velocidades de E/S de NAND mejoradas.
Kioxia y socio de producción Western Digital no explicaron todos los detalles de la arquitectura de CBA. No se sabe si las tarjetas de E/S CMOS contienen circuitos adicionales de la unidad ambiental NAND, como Arabels de página, amplificadores de detección y bombas de carga. Sin embargo, el uso de un método para producir células de memoria y circuitos ambientales por separado permite a los fabricantes utilizar los procesos tecnológicos más eficientes para crear un determinado componente de memoria NAND 3D.
No debe olvidarse que en 2022, Samsung anunció sus planes para comenzar la producción de memoria Flash 3D NAND con 1000 capas de capas de 1000 hasta 2030.
