Kioxia prévoit de passer à la production de masse de puces à mémoire NAND 3D NAND avec plus de 1000 couches d'ici 2031. Le directeur de Kioxia Hidefumi Miyajima l'a annoncé lors d'une conférence lors de la 71e réunion de printemps de la Société de physique appliquée de l'Université Tokyo. Dans le cadre de son discours, il a soulevé des questions sur les problèmes techniques et les solutions pour créer des puces NAND 3D à 1000 couches.
L'augmentation du nombre de couches actives dans les puces à mémoire flash 3D est le meilleur moyen d'augmenter la densité de l'écriture dans ces puces. Tous les fabricants de mémoire NAND 3D tentent d'augmenter le nombre de couches dans les puces en utilisant des processus technologiques avancés tous les 1,5 à 2 ans. Chaque transition vers une nouvelle technologie de processus apporte ses propres défis, car les producteurs de NAND NAND 3D devraient non seulement augmenter le nombre de couches, mais également réduire les cellules NAND à la fois horizontalement et verticalement. Cela oblige les fabricants à utiliser de nouveaux matériaux, ce qui est un véritable mal de tête pour les experts dans les centres de recherche.
Aujourd'hui, les puces à mémoire Flash Nand 3D les plus avancées dans le portefeuille de Kioxia sont le NAND BICS 3D de 8e génération avec 218 couches actives et le taux de transfert de données de 3,2 Gbps. Il a été présenté par le fabricant en mars 2023. Cette génération de mémoire flash propose une nouvelle architecture CBA (CMOS directement connectée) qui permet de produire séparément la séquence de cellules de la mémoire NAND 3D et les plaques d'E / S CMOS. Le résultat est un produit qui peut créer certains des meilleurs SSD sur le marché, avec une densité de bits augmentée et des vitesses d'E / S NAND améliorées.
La kioxie et le partenaire de production Western Digital n'ont pas expliqué tous les détails de l'architecture CBA. On ne sait pas si les cartes d'E / S CMOS contiennent des circuits d'unité environnementale NAND supplémentaires tels que Page Arabels, les amplificateurs de détection et les pompes de charge. Cependant, l'utilisation d'une méthode pour produire séparément les cellules de mémoire et les circuits environnementaux permet aux fabricants d'utiliser les processus technologiques les plus efficaces pour créer un certain composant de mémoire NAND 3D.
Il ne faut pas oublier qu'en 2022, Samsung a annoncé son intention de démarrer la production de Memory Flash 3D NAND avec 1000yer 1000 -yer jusqu'en 2030.
