Kioxia, 2031 yılına kadar 1000’den fazla katmana sahip 3D NAND flash bellek yongalarının seri üretimine geçmeyi planlıyor. Kioxia yöneticisi Hidefumi Miyajima bunu Tokyo Üniversitesi Uygulamalı Fizik Topluluğu’nun 71. bahar toplantısında yaptığı bir konferansta duyurdu. Konuşmasının bir parçası olarak, 1000 katmanlı 3D NAND yongalarının oluşturulmasına yönelik teknik sorunlar ve bunların çözüm yollarına ilişkin soruları gündeme getirdi.
3D NAND flash bellek yongalarındaki aktif katmanların sayısını artırmak, şu anda bu tür yongalardaki yazma yoğunluğunu artırmanın en iyi yoludur. Tüm 3D NAND bellek üreticileri, her 1,5-2 yılda bir daha ileri teknolojik süreçler kullanarak yongalardaki katman sayısını artırmaya çalışıyor. 3D NAND üreticilerinin yalnızca katman sayısını artırmakla kalmayıp aynı zamanda NAND hücrelerini hem yatay hem de dikey olarak küçültmesi gerektiğinden, yeni bir süreç teknolojisine her geçiş, kendi zorluklarını da beraberinde getiriyor. Bu, üreticilerin yeni malzemeler kullanmasını gerektiriyor ve bu da araştırma merkezlerindeki uzmanlar için gerçek bir baş ağrısı.
Bugün Kioxia’nın portföyündeki en gelişmiş 3D NAND flash bellek yongaları, 218 aktif katmana ve 3,2 Gbps veri aktarım hızına sahip 8. nesil BiCS 3D NAND’dır. Üretici tarafından Mart 2023’te sunulmuştu . Bu nesil flash bellek, 3D NAND bellek hücre dizisi yonga levhalarının ve CMOS I/O levhalarının ayrı ayrı üretilmesine ve daha sonra bu uygulamalar için en uygun teknolojiler kullanılarak birleştirilmesine olanak tanıyan yeni bir CBA (Diziye Doğrudan Bağlı CMOS) mimarisini sunuyor. Sonuç, piyasadaki en iyi SSD’lerden bazılarını oluşturabilen, artırılmış bit yoğunluğuna ve geliştirilmiş NAND I/O hızlarına sahip bir üründür.
Kioxia ve üretim ortağı Western Digital, CBA mimarisinin tüm ayrıntılarını açıklamadı. CMOS I/O kartlarının sayfa arabellekleri, algılama amplifikatörleri ve şarj pompaları gibi ek NAND çevre birimi devreleri içerip içermediği bilinmiyor. Bununla birlikte, bellek hücrelerinin ve çevresel devrelerin ayrı ayrı üretilmesine yönelik bir yöntemin kullanılması, üreticilerin belirli bir 3D NAND bellek bileşeni oluşturmak için en verimli teknolojik süreçleri kullanmalarına olanak tanıyor.
Unutmamak gerekir ki, 2022 yılında Samsung, 2030 yılına kadar 1000 katmanlı 3D NAND flash bellek üretimine başlama planlarını açıklamıştı.
