总部位于荷兰的ASML宣布，第一个半导体样品是使用High-NA EUV光刻工具创建的。该事件不仅对于ASML还是整个高NA EUV技术的重要转折点。
“我们在Veldhoven中的高NNA EUV系统按下了世界前10个纳米半导体。在粗糙的校准过程后，进行了渲染操作，光学元件，传感器和阶段。然后，我们计划使该系统达到全部性能并在场上获得相同的结果。
目前，ASML仅创建了三个高NA EUV光刻系统。一个被派往Veldhoven（荷兰）的ASML总部，另一个是在俄勒冈州英特尔Hillsboro附近的美国D1X工厂发送的。第三个将在比利时领先的半导体研究所IMEC中创建。
High-NA EUV成功生产样品的公司，这是整个半导体行业的重要里程碑 ASML的目标是使用Twinscan EXE：5000浏览器，仅研究和改进技术。
相比之下，英特尔计划使用Twinscan Exe：5000来学习如何使用具有高数值开口的EUV光刻来大规模生产芯片。该浏览器将使用注册的Intel 18A处理技术（1.8 nm类）用于研发项目。但是，根据14A工艺技术（1.4 nm类），计划将新一代浏览器Twinscan Exe：5200用于芯片生产。
ASML Twinscan Exe：5200浏览器旨在使8 nm的芯片属性配备0.55数值开放度光学元件：与提供13 nm分辨率的现有EUV系统相比，这是一个重要的改进。与低NA EUV设备相比，新技术将晶体管的大小降低了1.7倍，并将晶体管密度增加2.9倍。
低NA浏览器还可以在此级别获得分辨率，但需要更昂贵的二进制模式方法。为了根据3 nm以下的标准生产芯片，该标准计划于2025 - 2026年开始大规模生产，有必要切换到具有高NA EUV光刻的系统。高NA EUV光刻的使用消除了对两个模板的两个过渡的需求，从而优化了生产过程，可能会提高生产率并降低生产成本。另一方面，每种高NA车辆的成本都增加到4亿美元，并且缺点使得很难切换到更发达的流程。
